Intel ve TSMC, yeni nesil CFET transistörlerde ilerliyor

Son gelen bilgilere nazaran Intel ve TSMC, yaklaşan Memleketler arası Elektron Aygıtları Toplantısı (IEDM) konferansında dikey olarak istiflenmiş tamamlayıcı alan tesirli transistörler (CFET) konusundaki ilerlemeleri paylaşacak. Bu teknoloji şimdi emekleme evresinde olsa da önümüzdeki on yıl içinde GAA (Gate-All-Around) tahlilinin yerini alması bekleniyor.

CFET transistörlerde gelişim sürüyor

İlk olarak 2018 yılında orta çıkan CFET kavramı, n ve p tipi transistörlerin birbiri üzerine yerleştirilmesini içeriyor. Bağlam içerisinde: N ve P tipi transistörler, yarıiletken aygıtlar ortasında elektrik sinyallerini denetim etmek yahut amplifikasyon yapmak için kullanılan temel bileşenlerdir. CFET’ler için birinci adımlar akademik çevreler tarafından atılmış olsa da bir müddettir Intel ve TSMC gibi şirketler bu alanda faal çalışmalar yürüyor.

Intel, PowerVia art taraf güç dağıtımını içeren dikey bir yapı kullanarak monolitik 3D CFET inşa etmiş durumda. Bu yeni teknoloji, 60nm kapı aralığına sahip fonksiyonel invertör test devrelerini içeriyor. TSMC ise 48nm kapı aralığına sahip uygulamalı CFET yolunu tartışıyor. Bu tasarım, n-tipi nanosheet transistörlerini p-tipi muadillerinin üzerine yerleştirerek kıymetli bir performans artışı sağlıyor. TSMC’nin transistörlerinin dayanıklılıklarını kanıtladığı ve yüzde 90’dan fazlasının testlerde geçtiği belirtiliyor.

Yeni jenerasyon transistör

CFET‘ler transistör dizaynında kayda paha bir değişim yaratarak dikey istifleme sayesinde iki transistörün bir transistörün kapladığı alana sığmasını sağlayarak çip üzerindeki transistör yoğunluğunu artırmayı hedefliyor. Bu tasarım yalnızca gelişmiş alan verimliliğinin önünü açmakla kalmıyor, birebir vakitte daha çağdaş bir CMOS mantık devresi sistemini destekleyerek gelişmiş tasarım verimliliğini kolaylaştırıyor.

Ek olarak, CFET’lerin doğal yapısı parazitik tesirlerin azalmasına yol açarak performans ve güç verimliliğinde potansiyel artışlar sunabilir. Uyarlanabilir tasarım yetenekleri, art taraf güç dağıtımı üzere yeniliklerle birleştiğinde, üretim sürecini daha da kolaylaştırarak CFET’leri transistör teknolojisi alanında umut verici bir gelişme haline getirebilir. Hem Intel hem de TSMC’nin uğraşları CFET teknolojisinin yarı iletken sanayisindeki kıymeti ortaya koyuyor.